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        空氣分子污染物監測系統

        簡要描述:獵戶座 3100S 空氣分子污染物監測系統ETG HMI(人機交互界面)軟件可以實時觀察、實時測量、實時操作對不同空間不同位置的NH3、HCL、HF進行分析,軟件專門針對半導體行業開發,對于深紫外光刻工藝過程中監測與控制空氣分子污染(AMC)提供有力的支持,軟件集成了多點采樣(MS)控制功能,具有實時顯示數據曲線、報警、存儲、趨勢、歷史曲線、分析等功能。

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        獵戶座 3100S 空氣分子污染物監測系統


        痕量級AMC空氣分子污染物 Ma Mb(NH3,HCL,HF等)監測---半導體行業應用

        光刻工藝潔凈室內痕量級NH3,HCL,HF氣體的超高靈敏度、實時測量


        實踐證明深紫外光刻工藝深受多種類微量污染物的影響,對很多微量污染物極為敏感,比如氨氣或者酸性氣體都會給半導體生產帶來較大的危害,盡管隨著深紫外耐腐蝕材料技術的發展,已經減少了長時間持續實時監測,而實際上空氣分子污染(AMC)的實時測量對產品質量的好壞至關重要。


        獵戶座3100S系列空氣分子污染物監測系統基于CEAS(腔增強吸收光譜)技術連續分析儀器,將增加半導體器件阻抗*性、保證更長的過濾器壽命、減少生產過程的停工時間。


        ETG HMI(人機交互界面)軟件可以實時觀察、實時測量、實時操作對不同空間不同位置的NH3、HCL、HF進行分析,軟件專門針對半導體行業開發,對于深紫外光刻工藝過程中監測與控制空氣分子污染(AMC)提供有力的支持,軟件集成了多點采樣(MS)控制功能,具有實時顯示數據曲線、報警、存儲、趨勢、歷史曲線、分析等功能。


        獵戶座 3100S 系統: 完善的空氣分子污染(AMC)監測


        實時監測空氣分子污染(AMC)對于半導體生產過程極為重要。

        快速監測、報警、極低濃度測量、寬測量區域、多氣體的高靈敏響應等是半導體工業要求之一。

        深紫外光刻工藝特別關注氨、胺類、N-甲基吡咯烷酮NMP、酸類等濃度測量,當這些氣體與化學放大光刻膠反生反應時,將深深的影響半導體器件質量。

        傳統古老的方法多采用間接測量分析方法。包括撞擊濾塵器、離子色譜、化學熒光法,這些方法分析速度太慢,操作過程太復雜,昂貴并且測量結果不準確。

        ETG采用被證明的CEAS(腔增強吸收光譜)技術解決AMC(空氣分子污染物)監測難題,可快速測量痕量級NH3、HCL、HF,采用脈沖熒光法測量SO2,采用增強型GC-FID測量VOCs。

        獵戶座 3100S系列空氣分子污染物監測系統測量痕量級NH3、HCL、HF并集成了uVOC-CAM特性,是半導體行業潔凈室AMC(空氣分子污染)測量的有力工具。

        獵戶座 3100S也集成了多點監測系統,可依序將氣體送到分析儀或傳感器,并讀出測量結果。獵戶座 3100S內嵌的報警、報告、分析軟件是由多年半導體行業經驗的工程師集體開發。

        獵戶座 3100S使用Ethernet、RS485/RS232或4-20mA模擬模塊可以輸出來自4~6臺分析儀或傳感器的數據。

        分析儀配有內置計算機(Linux OS),可進行數據存儲和數據輸出,還支持遠程網絡控制,通過互聯網可以連接ETG公司總部或者當地經銷商服務商,進行操作或者診斷。

        使用者可以通過網絡瀏覽器比如IE、Chrome等世界任意可以聯網的地方進行操作,遠程操作可實現多級管理權限控制和操作。

        獵戶座 3100S 系統配置

        增強靈敏度儀器基于CEAS(腔增強吸收光譜)技術,極簡使用、便捷操作,所有部件(包括內置真空泵、鍵盤、鼠標、顯示器等)幾分鐘內可開始記錄數據,其他大氣中的水汽、CO2、O2、甲烷等不會對HCL、HF、NH3等測量構成交叉干擾。內置計算機可以存儲大量數據到內置硬盤上,可同過數字接口或者模擬接口傳輸數據,可通過互聯網遠程存儲或記錄數據,高質量的數據庫,適合于苛刻的半導體痕量級氣體應用

        檢測限/精度 (1-σ)  :        

        HCl 0.1 ppb

              HF 0.1 ppb

              NH3 < 0.1 ppb

        快速響應時間

        每個通道5秒

        系統即插即用

        系統可在潔凈間幾分鐘內簡單操作完成

        低成本

        CEAS(腔增強吸收光譜)系統不需要特別的維護保養和備品備件,所以很好的降低了使用者成本。

        CEAS(腔增強吸收光譜)---原理

        基于CEAS(腔增強吸收光譜)技術的儀器原理圖,使用近紅外波段光進行高靈敏度吸收測量,測量腔室由一組高反射率多次反射鏡片組成的柱狀體構成,激光束經過固態校準器(FSR=2.00GHz)時會測量得到相對激光波長。為了保證清晰度,忽略了原本照射到左側測量單元腔鏡外的光束。

        EP增強型版本集成了壓力傳感器和內部溫度控制器,具有超穩定性測量腔室,防止溫度漂移、壓力變化等造成的誤差。

        CEAS(腔增強吸收光譜)相比于*代的CRDS(腔衰蕩光譜)技術,有許多已被證明的優勢。簡而言之,激光束不需要共振耦合進入測量腔室(例如光束不需要嚴格對準)。ETG分析儀器和系統具有天生安裝簡單、機械牢固、防護結實等特點。

        獵戶座 3100S的特性

        • sub-ppb級實時測量

        • CEAS(腔增強吸收光譜)原理

        • 苛刻危險環境下可連續無人值守測量

        • 無試劑、無放射源、無紙帶消耗、無吸收管或者其他耗材

        • 長期穩定性和可靠性

        • 固態電子器件無可移動部件

        • 低維護量、長免維護期

        • 出廠標定

        • 單組份/多組份痕量級氣體測量

        • 4~64通道多點采樣

        • 獨立可編程報警、繼電器設置

        • 可獨立編程采樣點順序和吹掃通道

        • 開放的通訊協議,便于二次開發與集成

        • 電源斷電或者斷閘,數據無丟失

        • 觸摸屏允許數據顯示、表格顯示、曲線顯示等

        • ? “外徑接口

        • 管線:PFA, PVDF

        • 距離采樣點較長管線:80m

        • 盤裝彩色液晶顯示器

        • 可遠程操作或可視化操作。

        • 任意的運載工具

        • 輸出信號:標配 : RS232 , 可選 : 4-20 mA, Modbus

        • 供電 : 115-230 Vac 50/60 Hz

        • 校準報告

        • 通過采樣器或者快速回路泵采樣






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